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DESP - Environnement spatial

ISE-TCAD

Simulation physique des composants [produit commercial]

Domaine d'application

 

Tous types d'effets dans les composants (TiD, SEE, DD)

Courant de fuite dans un transistor induit par l'impact d'un ion Kr 316MeV
Courant de fuite dans un transistor induit par l'impact d'un ion Kr 316MeV
 

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