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DESP - Environnement spatial

OSMOSEE - Modèle physique d'émission secondaire

OSMOSEE = Onera Simulation MOdel for Secondary Electron Emission

Les dispositifs électroniques embarqués comme les composants RF sont naturellement vulnérables aux effets des radiations. Ils sont particulièrement sensibles à l'effet multipactor qui est un phénomène dimensionnant avec l'augmentation de la puissance des charges utiles de télécommunication. Ce phénomène d'amplification des densités d'électron dans les guides d'onde est fortement dépendant des caractéristiques des électrons secondaires.

OSMOSEE (propriété CNES/ONERA) est un code de transport d'électron basse énergie qui permet de déterminer les caractéristiques des électrons secondaires, comme le rendement d'émission électronique, les directions d'émission ainsi que les spectres en énergie qui servent de paramètres d'entrée à la conception des composants RF.

Ce code a été développé dans le cas de cibles en aluminium. Son domaine d'application va de 1 eV à 2 keV. La transposition à d'autres matériaux est envisagée. Il prend en compte tous les phénomènes d'interaction se produisant à faible énergie :

  • Excitation de plasmon de volume
  • Excitation de plasmon de surface
  • Prise en compte des niveaux d'énergie des électrons liés
  • Prise en compte des interactions avec les électrons de la bande de conduction
  • Prise en compte du travail de sortie du matériau
     

OSMOSEE

OSMOSEE

Inputs 

  • Energie des électrons incidents
  • Angle d'incidence

Outputs 

  • Rendement d'émission secondaire
  • Lobes d'émission
  • Spectre en énergie des électrons secondaires
  • Profondeurs d'échappement
  • Parcours
  • Epaisseurs traversées

 

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